下游消費電子疲軟的市場行情持續(xù)沖擊上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，晶圓代工亦不可避免地受到?jīng)_擊。與此同時，AI、HBM等應(yīng)用風(fēng)生水起，為業(yè)界帶來新機會。
這一背景下，半導(dǎo)體領(lǐng)域晶圓代工先進(jìn)制程重要性愈發(fā)凸顯，臺積電、三星兩大晶圓代工龍頭最新產(chǎn)能規(guī)劃與未來先進(jìn)制程規(guī)劃逐漸清晰。
01 6月28日，三星電子在2023年第7屆三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum, SFF）上宣布其最新的代工技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。
人工智能時代，三星晶圓代工計劃基于GAA的先進(jìn)制程技術(shù)，為客戶在人工智能應(yīng)用方面的需求提供強大支持。為此，三星公布了2nm工藝量產(chǎn)的詳細(xì)計劃以及性能水平，計劃2025年實現(xiàn)應(yīng)用在移動領(lǐng)域2nm工藝的量產(chǎn)，于2026和2027分別擴(kuò)展到HPC及汽車電子。
三星表示，2nm工藝（SF2）較3nm工藝（SF3）性能提高了12%，功效提高25%，面積減少5%。
三星還將擴(kuò)大全球晶圓代工產(chǎn)能，該公司計劃到2027年，產(chǎn)能較2021年擴(kuò)大7.3倍。
全球產(chǎn)能提升方面，三星計劃于韓國量產(chǎn)應(yīng)用于移動領(lǐng)域的晶圓代工產(chǎn)品，并更多集中在平澤P3工廠。位于美國泰勒的新晶圓廠，也正按計劃推進(jìn)，預(yù)計于今年底前竣工，2024年下半年內(nèi)投產(chǎn)。同時，三星計劃在2030年后將韓國的生產(chǎn)基地擴(kuò)展到龍仁，助力三星的下一代晶圓代工服務(wù)。
除此之外，三星亦表示，為應(yīng)對移動和HPC應(yīng)用小芯片市場的快速增長，三星本月與其SAFETM合作伙伴以及多家存儲、封裝基板和測試廠商合作，成立“MDI（Multi-Die Integration, 多芯片集成）聯(lián)盟”。未來，三星還將與SAFETM合作伙伴一同持續(xù)努力，擴(kuò)大晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)。
02 今年以來，臺積電先后在美國加利福尼亞州圣克拉拉市、中國臺灣等地介紹了其最新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝路線圖，涵蓋3nm和2nm制程節(jié)點的各種工藝。 臺積電目前規(guī)劃的3nm"家族"分別是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE，其中N3是基礎(chǔ)版；N3E是改進(jìn)版，成本進(jìn)一步優(yōu)化；N3P性能將進(jìn)一步提升，計劃2024年下半年投產(chǎn)；N3X聚焦高性能計算設(shè)備，計劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段；N3 AE專為汽車領(lǐng)域設(shè)計，具備有更強的可靠性，將有助客戶縮短產(chǎn)品上市時間2~3年。
2nm方面，臺積電預(yù)計N2工藝將會在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。臺積電介紹，在相同功率下，N2速度相比N3E提高15%，或者降低30%的功耗，密度為原來的1.15倍。
產(chǎn)能方面，臺積電5月透露，為滿足客戶需求，臺積電迅速穩(wěn)定提升7nm、5nm及3nm先進(jìn)制程產(chǎn)能，估計2019年至2023年復(fù)合成長率達(dá)40%。其中，臺積電在2017年~2019年每年平均興建2座新廠，2020年建6座新廠、2021年建7座、2022年建3座，2023年將再建2座新廠。