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了解半導(dǎo)體行業(yè):你想知道的上百個(gè)問題解答都在這

晶圓制造廠非常昂貴的原因之一,是需要一個(gè)無塵室,為何需要無塵室?

答:由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷

何謂半導(dǎo)體?

答:半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁,以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料 與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。
半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場來控制其之導(dǎo)電性。

常用的半導(dǎo)體材料為何?

答:硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa),碳化硅,氮化鎵...
何謂 VLSI?
答:VLSI(Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路。

在半導(dǎo)體工業(yè)中,作為絕緣層材料通常稱什幺?

答:介電質(zhì)(Dielectric) 

薄膜區(qū)機(jī)臺(tái)主要的功能為何

答:沉積介電質(zhì)層及金屬層

何謂 CVD(Chemical Vapor Dep.)

答:CVD 是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程 

CVD 分那幾種? 

答:PE-CVD(電漿增強(qiáng)型)及 Thermal-CVD(熱耦式)

為什么要用鋁銅(AlCu)合金作導(dǎo)線?

答:良好的導(dǎo)體僅次于銅 

介電材料的作用為何?
答:做為金屬層之間的隔離

何謂 PMD(Pre-Metal Dielectric)

答:稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層,其界于多晶硅與第一個(gè)金屬層的介電質(zhì)

何謂 IMD(Inter-Metal Dielectric)
答:金屬層間介電質(zhì)層。

何謂 USG?

答:未摻雜的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)

何謂 FSG?

答:摻雜氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)

 

何謂 BPSG? 

答:摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)

何謂 TEOS?

答:Tetraethoxysilane 用途為沉積二氧化硅
TEOS

在常溫時(shí)是以何種形態(tài)存在?

答:液體
二氧化硅

其 K 值為 3.9 表示何義 

答:表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的 3.9 倍

 氟在 CVD 的工藝上,

有何應(yīng)用

答:作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體

簡述 Endpoint detector 之作用原理.

答:clean 制程時(shí),利用生成物或反應(yīng)物濃度的變化,因其特定波長光線被 detector 偵測 到強(qiáng)度變強(qiáng)或變?nèi)?當(dāng)超過某一設(shè)定強(qiáng)度時(shí),即定義制程結(jié)束而該點(diǎn)為 endpoint.

機(jī)臺(tái)使用的管件材料主要有那些?

答:有不銹鋼制(Stainless Steal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.

機(jī)器維修時(shí)要放置停機(jī)維修告示牌目的為何?

答:告知所有的人勿操作機(jī)臺(tái),避免危險(xiǎn)

機(jī)臺(tái)維修至少兩人配合,

有何目的?

答:幫忙拆卸重物,并隨時(shí)警戒可能的意外發(fā)生

更換過任何氣體管路上的零件之后,一定要做何動(dòng)作?

答:用氦氣測漏機(jī)來做測漏

維修尚未降至室溫之反應(yīng)室(Chamber),應(yīng)配帶何種手套

答:石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在 80 攝式度下始可動(dòng)作

何為真空(Vacuum)?
半導(dǎo)體業(yè)常用真空單位是什幺?

答:半導(dǎo)體業(yè)通常用 Torr 作為真空的壓力單位,一大氣壓相當(dāng) 760Torr,低于 760Torr 壓力 的環(huán)境稱為真空.
真空 Pump 的作用?

答:降低反應(yīng)室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力

何謂內(nèi)部連鎖(Interlock)

答:機(jī)臺(tái)上 interlock 有些屬于保護(hù)操作人員的安全,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號(hào),用以保 護(hù)機(jī)臺(tái).

機(jī)臺(tái)設(shè)定許多 interlock 有何作用?

答:機(jī)臺(tái)上 interlock 主要避免人員操作錯(cuò)誤及防止不相關(guān)人員動(dòng)作.

Wafer Scrubber 的功能為何?

答:移除芯片表面的污染粒子

ETCH

何謂蝕刻(Etch)?

答:將形成在晶圓表面上的薄膜全部,或特定處所去除至必要厚度的制程。

蝕刻種類: 

答:(1) 干蝕刻(2) 濕蝕刻

蝕刻對(duì)象依薄膜種類可分為:

答:poly,oxide, metal

半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?

答:鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)

何謂 dielectric 蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)?

答:Oxide etch and nitride etch

半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何?

答:氧化硅/氮化硅

何謂濕式蝕刻

答:利用液相的酸液或溶劑;

將不要的薄膜去除

何謂電漿 Plasma?

答:電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù) 離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓.

何謂干式蝕刻?

答:利用 plasma 將不要的薄膜去除

何謂 Under-etching(蝕刻不足)?

答:系指被蝕刻材料,在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留

何謂 Over-etching(過蝕刻 )

答:蝕刻過多造成底層被破壞 
何謂 Etch rate(蝕刻速率)
答:單位時(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度
何謂 Seasoning(陳化處理)
答:是在蝕刻室的清凈或更換零件后,為要穩(wěn)定制程條件,使用仿真(dummy) 晶圓 進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。

Asher 的主要用途:

答:光阻去除
Wet bench dryer

功用為何?

答:將晶圓表面的水份去除

列舉目前 

Wet bench dry 方法:

答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何謂 Spin Dryer
答:利用離心力將晶圓表面的水份去除 

何謂 Maragoni Dryer

答:利用表面張力將晶圓表面的水份去除

何謂 IPA Vapor Dryer

答:利用 IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除

測 Particle 時(shí),使用何種測量儀器?

答:Tencor Surfscan

測蝕刻速率時(shí),使用何者量測儀器? 

答:膜厚計(jì),

測量膜厚差值

何謂 AEI

答:After Etching Inspection

蝕刻后的檢查 AEI 目檢 Wafer 須檢查哪些項(xiàng)目:

答:(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及 Particle (3)刻號(hào)是否正確

金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理?

答:清機(jī)防止金屬污染問題

金屬蝕刻機(jī)臺(tái) asher 的功用為何?

 

答:去光阻及防止腐蝕

金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗?

 答:因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中

"Hot Plate"機(jī)臺(tái)是什幺用途?

答:烘烤
Hot Plate

烘烤溫度為何?

答:90~120 度

何種氣體為 Poly ETCH 主要使用氣體?

答:Cl2, HBr, HCl

用于 Al 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為

答:Cl2, BCl3

用于 W 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為

答:SF6

何種氣體為 oxide vai/contact ETCH 主要使用氣體?

答:C4F8, C5F8, C4F6

硫酸槽的化學(xué)成份為:

答:H2SO4/H2O2

AMP 槽的化學(xué)成份為:

答:NH4OH/H2O2/H2O

UV curing 是什幺用途?

答:利用 UV 光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度

"UV curing"用于何種層次?

答:金屬層

何謂 EMO?

答:機(jī)臺(tái)緊急開關(guān)
EMO

作用為何?

答:當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下

濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示?

答:(1) 警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開此門 (2) 機(jī)械手臂危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門 (3) 化 學(xué)藥劑危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門

遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置?

答:嚴(yán)禁以手去測試漏出之液體. 應(yīng)以酸堿試紙測試. 并尋找泄漏管路.

遇 IPA 槽著火時(shí)應(yīng)如何處置??

答:立即關(guān)閉 IPA 輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組

BOE 槽之主成份為何?

答:HF(氫氟酸)與 NH4F(氟化銨).

BOE 為那三個(gè)英文字縮寫 ?

答:Buffered Oxide Etcher 。

有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何?

 

答:當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出

電漿的頻率一般 13.56 MHz,為何不用其它頻率?

答:為避免影響通訊品質(zhì) , 目前只開放特定頻率 , 作為產(chǎn)生電漿之用 , 如 380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz 等

何謂 ESC(electrical static chuck)

答:利用靜電吸附的原理,

將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上 Asher 主要?dú)怏w為

答:O2
Asher

機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何? 

答:溫度

簡述 TURBO PUMP 原理 

答:利用渦輪原理,可將壓力抽至 10-6TORR

熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何?

答:將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達(dá)到溫度控制之目地 

簡述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理?

答:藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化

ORIENTER 之用途為何?

答:搜尋 notch 邊,使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定,可追蹤問題

簡述 EPD 之功用

答:偵測蝕刻終點(diǎn);End point detector 利用波長偵測蝕刻終點(diǎn)
何謂 MFC?
答:mass flow controler 氣體流量控制器;

用于控制 反應(yīng)氣體的流量

GDP 為何?

答:氣體分配盤(gas distribution plate) 

GDP 有何作用?

答:均勻地將氣體分布于芯片上方 

何謂 isotropic etch?

答:等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等

何謂 anisotropic etch?

答:非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少

何謂 etch 選擇比?

答:不同材質(zhì)之蝕刻率比值

何謂 AEI CD?

答:蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)

 

何謂 CD bias?

答:蝕刻 CD 減蝕刻前黃光 CD

簡述何謂田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法?

答:利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析

何謂反射功率?

答:蝕刻過程中,所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會(huì)有部份值反射 掉,此反射之量,

稱為反射功率

Load Lock 之功能為何?

答:Wafers 經(jīng)由 loadlock 后再進(jìn)出反應(yīng)腔,確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的 影響.

廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas ?

答:Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等.
廠務(wù)供氣系統(tǒng)中

何謂 Inert Gas?

答:Inert Gas 為一些特殊無強(qiáng)烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.

廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Toxic Gas ?

答:Toxic Gas 為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.

機(jī)臺(tái)維修時(shí),異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理?

答:將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作

冷卻器的冷卻液為何功用 ?

答:傳導(dǎo)熱

Etch 之廢氣有經(jīng)何種方式處理 ? 

答:利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽

何謂 RPM?

答:即 Remote Power Module,系統(tǒng)總電源箱.

火災(zāi)異常處理程序

答:(1) 立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下 EMO 停止機(jī)臺(tái). (4) 關(guān)閉VMB Valve 并通知廠務(wù). (5) 撤離.
一氧化碳(CO)

偵測器警報(bào)異常處理程序

答:(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關(guān)閉 VMB 閥,并通知廠 務(wù). (4) 進(jìn)行測漏.

高壓電擊異常處理程序

答:(1) 確認(rèn)安全無慮下,按 EMO 鍵(2) 確認(rèn)受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員

T/C (傳送 Transfer Chamber) 之功能為何 ?

答:提供一個(gè)真空環(huán)境, 以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送 Wafer,節(jié)省時(shí)間.

 機(jī)臺(tái) PM 時(shí)需佩帶面具否

答:是,

防毒面具

機(jī)臺(tái)停滯時(shí)間過久 run 貨前需做何動(dòng)作 ?

答:Seasoning(陳化處理)

何謂日常測機(jī) 

答:機(jī)臺(tái)日常檢點(diǎn)項(xiàng)目, 以確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況正常

何謂 WAC (Waferless Auto Clean)

答:無 wafer 自動(dòng)干蝕刻清機(jī) 

何謂 Dry Clean

答:干蝕刻清機(jī)
日常測機(jī)量測

etch rate 之目的何在?

答:因?yàn)橐g刻到多少厚度的 film,其中一個(gè)重要參數(shù)就是蝕刻率

操作酸堿溶液時(shí),應(yīng)如何做好安全措施?

答:(1) 穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡(2) 操作區(qū)備有清水與水管以備不時(shí)之 需(3) 操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶
如何讓

chamber 達(dá)到設(shè)定的溫度?

答:使用 heater 和 chiller

Chiller 之功能為何?

答:用以幫助穩(wěn)定 chamber 溫度

如何在 chamber 建立真空?

答:(1) 首先確立 chamber parts 組裝完整(2) 以 dry pump 作第一階段的真空建立(3) 當(dāng) 圧力到達(dá) 100mTD寺再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下

真空計(jì)的功能為何?

:偵測 chamber 的壓力,確保 wafer 在一定的壓力下 process

Transfer module 之 robot 功用為何?

答:將 wafer 傳進(jìn) chamber 與傳出 chamber 之用

何謂 MTBC? (mean time between clean)

答:上一次 wet clean 到這次 wet clean 所經(jīng)過的時(shí)間

 RF Generator 是否需要定期檢驗(yàn)?

答:是需要定期校驗(yàn);若未校正功率有可能會(huì)變化;如此將影響電漿的組成

為何需要對(duì) etch chamber 溫度做監(jiān)控?

答:因?yàn)闇囟葧?huì)影響制程條件;如 etching rate/均勻度

為何需要注意 dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?

答:因?yàn)闅鈮喝籼髸?huì)造成 pump 負(fù)荷過大;造成 pump 跳掉,影響 chamber 的壓力,直接 影響到 run 貨品質(zhì)

為何要做漏率測試? (Leak rate )

答:(1) 在 PM 后 PUMP Down 1~2 小時(shí)后;為確保 chamber Run 貨時(shí),無大氣進(jìn)入chamble 影響 chamber GAS 成份(2) 在日常測試時(shí),為確保 chamber 內(nèi)來自大氣的泄漏源,故需測漏

機(jī)臺(tái)發(fā)生 Alarm 時(shí)應(yīng)如何處理?

答:(1) 若為火警,立即圧下 EMO(緊急按鈕),并滅火且通知相關(guān)人員與主管(2) 若是一般 異常,請(qǐng)先檢查 alarm 訊息再判定異常原因,進(jìn)而解決問題,若未能處理應(yīng)立即通知主要負(fù)責(zé)

蝕刻機(jī)臺(tái)廢氣排放分為那幾類?

答:一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放

蝕刻機(jī)臺(tái)使用的電源為多少伏特(v)?

答:208V 三相

干式蝕刻機(jī)臺(tái)分為那幾個(gè)部份?

答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系統(tǒng) (5) GAS system (6) RF

system

PHOTO
PHOTO 流程?

答:上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD 量測→Overlay 量測

何為光阻?其功能為何?其分為哪兩種?

答:Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì),其作用是將 Pattern 從光罩(Reticle)上傳遞到
Wafer 上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。

何為正光阻?

答:正光阻,是光阻的一種,這種光阻的特性是將其曝光之后,感光部分的性質(zhì)會(huì)改變, 并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。

何為負(fù)光阻?

答:負(fù)光阻也是光阻的一種類型,將其曝光之后,感光部分的性質(zhì)被改變,但是這種光

阻的特性與正光阻的特性剛好相反,其感光部分在將來的顯影過程中會(huì)被留下,而沒有被感 光的部分則被顯影過程去除

什幺是曝光?什幺是顯影?

答:曝光就是通過光照射光阻,使其感光;顯影就是將曝光完成后的圖形處理,以將圖
形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂 Photo?
答:Photo=Photolithgraphy,光刻,將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

Photo 主要流程為何?

答:Photo 的流程分為前處理,上光阻,Soft Bake, 曝光,PEB,顯影,Hard Bake 等。

何謂 PHOTO 區(qū)之前處理?

答:在 Wafer 上涂布光阻之前,需要先對(duì) Wafer 表面進(jìn)行一系列的處理工作,以使光阻 能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括 Bake,HDMS 等過程。其中 通過 Bake 將 Wafer 表面吸收的水分去除,然后進(jìn)行 HDMS 工作,以使 Wafer 表面更容易與 光阻結(jié)合。

何謂上光阻?

答:上光阻是為了在 Wafer 表面得到厚度均勻的光阻薄膜。

光阻通過噴嘴(Nozzle)被 噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的 Wafer 表面,并在離心力的作用下被均勻的涂布在 Wafer 的表面。

答:上完光阻之后,要進(jìn)行 Soft Bake,其主要目的是通過 Soft Bake 將光阻中的溶劑蒸 發(fā),并控制光阻的敏感度和將來的線寬,同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。

何謂曝光?

答:曝光是將涂布在 Wafer 表面的光阻感光的過程,同時(shí)將光罩上的圖形傳遞到 Wafer 上的過程。

何謂 PEB(Post Exposure Bake)?

答:PEB 是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的 Bake 的過程。其目的在于使被曝光的 光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng),以使被曝光的圖形均勻化。

何謂顯影?

答:顯影類似于洗照片,是將曝光完成的 Wafer 進(jìn)行成象的過程,通過這個(gè)過程,成象 在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。

何謂 Hard Bake?

答:Hard Bake 是通過烘烤使顯影完成后殘留在 Wafer 上的顯影液蒸發(fā),并且固化顯影 完成之后的光阻的圖形的過程。

何為 BARC?何為 TARC?它們分別的作用是什幺?

答:BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC= Top Anti Reflective Coating. BARC 是

被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì),TARC 則是被涂布在光阻上表面的一層減少 光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光 阻的上下表面的反射,以使曝 光的大部分能量都被光阻吸收。

何謂 I-line?

答:曝光過程中用到的光,由 Mercury Lamp(汞燈)產(chǎn)生,其波長為 365nm,其波長較長, 因此曝光完成后圖形的分辨率較差,可應(yīng)用在次重要的層次。

何謂 DUV?

答:曝光過程中用到的光,其波長為 248nm,其波長較短,因此曝光完成后的圖形分辨 率較好,用于較為重要的制程中。

I-line 與 DUV 主要不同處為何?

答:光源不同,波長不同,因此應(yīng)用的場合也不同。I-Line 主要用在較落后的制程(0.35 微米以上)或者較先進(jìn)制程(0.35 微米以下)的 Non-Critical layer。DUV 則用在先進(jìn)制程的Critical layer 上。

何為 Exposure Field?

答:曝光區(qū)域,一次曝光所能覆蓋的區(qū)域 何謂 Stepper? 其功能為何?

答:一種曝光機(jī),其曝光動(dòng)作為 Step by step 形式,一次曝整個(gè) exposure field,一個(gè)一個(gè)曝過去

何謂 Scanner? 其功能為何?

答:一種曝光機(jī),其曝光動(dòng)作為 Scanning and step 形式, 在一個(gè) exposure field 曝光時(shí), 先 Scan 完整個(gè) field, Scan 完後再移到下一個(gè) field.

何為象差?答:代表透鏡成象的能力,越小越好. Scanner 比 Stepper 優(yōu)點(diǎn)為何?答:Exposure Field 大,象差較小 曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺?

答:Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)整的不好,就不能得到要求的分 辨率和要求大小的圖形,主要表現(xiàn)在圖形的 CD 值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)
刻維持最佳的能量和焦距,這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。

何為 Reticle?

答:Reticle 也稱為 Mask,翻譯做光掩模板或者光罩,曝光過程中的原始圖形的載體, 通過曝光過程,這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。

何為 Pellicle?

答:Pellicle 是 Reticle 上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上 的一層保護(hù)膜。

何為 OPC 光罩?

答:OPC (Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實(shí)性,做了一些修正的光 罩,例如,0.18 微米以下的 Poly, Metal layer 就是 OPC 光罩。

何為 PSM 光罩?

答:PSM (Phase Shift Mask)不同于 Cr mask, 利用相位干涉原理成象,目前大都應(yīng)用在 contact layer 以及較小 CD 的 Critical layer(如 AA,POLY,METAL1)以增加圖形的分辨率。

何為 CR Mask?

答:傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊 0 與 1 干涉成像,主要應(yīng)用在較不 Critical 的 layer

光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺?

答:例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表產(chǎn)品號(hào),00 代表 Special code,156 代表 layer,A 代表客戶版本,后一個(gè) A 代表 SMIC 版本,1 代表 FAB1,D 代表 DUV(如果是 J,則代表 I-line),A
代表 ASML 機(jī)臺(tái)(如果是 C,則代表 Canon 機(jī)臺(tái))

光罩室同時(shí)不能超過多少人在其中?

答:2 人,為了避免產(chǎn)生更多的 Particle 和靜電而損壞光罩。

存取光罩的基本原則是什幺?

答:(1) 光罩盒打開的情況下,不準(zhǔn)進(jìn)出 Mask Room,最多只準(zhǔn)保持 2 個(gè)人(2) 戴上手套
(3) 輕拿輕放

如何避免靜電破壞 Mask?

答:光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面,可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。

光罩 POD 和 FOUP 能放在一起嗎?它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離?

答:不能放在一起,之間至少要有 30 公分的距離,防止搬動(dòng) FOUP 時(shí)碰撞光罩 Pod 而

損壞光罩。

何謂 Track?

答:Photo 制程中一系列步驟的組合,其包括:Wafer 的前、后處理,Coating(上光阻),
和 Develop(顯影)等過程。

In-line Track 機(jī)臺(tái)有幾個(gè) Coater 槽,幾個(gè) Developer 槽?

答:均為 4 個(gè)

機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程?

答:機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài),此時(shí)已經(jīng)不能 RUN 貨,因此應(yīng)該 及時(shí) Call E.E 進(jìn)行處理。若 EE 現(xiàn)在無法立即解決,則將機(jī)臺(tái)掛 DOWN。

何謂 WEE? 其功能為何?

答:Wafer Edge Exposure。由于 Wafer 邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻,因此一般不能 得到較好的圖形,而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻 peeling 而影響其它部分的圖形,因此 將 Wafer Edge 的光阻曝光,進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ?,這樣便可以消除影響。

何為 PEB?其功能為何?

答:Post Exposure Bake,其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。(消除 standing waves) PHOTO POLYIMIDE 所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻

何謂 Soft Bake?

答:目前正負(fù)光阻都有,SMIC FAB 內(nèi)用的為負(fù)光阻。

RUN 貨結(jié)束后如何判斷是否有 wafer 被 reject?
答:查看 RUN 之前 lot 里有多少 Wafer,再看 Run 之后 lot 里的 WAFER 是否有少掉,如
果有少,則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有 Reject 記錄。

何謂 Overlay? 其功能為何?

答:迭對(duì)測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的,因此必須保證每一層與前 面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度,如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi),則可能造成 整個(gè)電路不能完 成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過程中,要對(duì)其與前層的對(duì)準(zhǔn)精度進(jìn)行測量,如果測 量值超出要求,則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整 process condition.

何謂 ADI CD?

答:Critical Dimension,光罩圖案中最小的線寬。曝光過后,它的圖形也被復(fù)制在 Wafer 上,通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象,同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量 CD 的值來確定 process 的條件是否合適。

何謂 CD-SEM? 其功能為何?

答:掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器,通常可以用于測量 CD 以及觀察圖案。

PRS 的制程目的為何?

答:PRS (Process Release Standard)通過選擇不同的條件(能量和焦距)對(duì) Wafer 曝光, 以選擇最佳的 process condition。

何為 ADI?ADI 需檢查的項(xiàng)目有哪些?

答:After Develop Inspection,曝光和顯影完成之后,通過 ADI 機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的 定性檢查,看其是否正常,其檢查項(xiàng)目包括:Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect

何為 OOC, OOS,OCAP?

答:OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan

當(dāng)需要追貨的時(shí)候,是否需要將 ETCH 沒有下機(jī)臺(tái)的貨追回來?

答:需要。因?yàn)橥ǔJ?process 出現(xiàn)了異常,而且影響到了一些貨,因此為了減少損失,

必須把還沒有 ETCH 的貨追回來,否則 ETCH 之后就無法挽回?fù)p失。

PHOTO ADI 檢查的 SITE 是每片幾個(gè)點(diǎn)?

答:5 點(diǎn),Wafer 中間一點(diǎn),周圍四點(diǎn)。

PHOTO OVERLAY 檢查的 SITE 是每片幾個(gè)點(diǎn)?

答:20

PHOTO ADI

檢查的片數(shù)一般是哪幾片?

答:#1,#6,#15,#24;

統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量

何謂 RTMS,其主要功能是什幺?

答 :RTMS (Reticle Management System)

光 罩 管 理 系 統(tǒng) 用 于 trace 光 罩 的 History,Status,Location,and Information 以便于光罩管理

PHOTO 區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行 PM 的周期?

答:一周一次

PHOTO 區(qū)的控片主要有幾種類型

答:(1) Particle :作為 Particle monitor 用的芯片,使用前測前需小於 10 顆(2) Chuck Particle : 作為 Scanner 測試 Chuck 平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer(4) CD :做為 photo 區(qū) daily monitor CD 穩(wěn)定度的 wafer(5) PR
thickness :做為光阻厚度測量的 wafer(6) PDM :做為 photo defect monitor 的 wafer

當(dāng) TRACK 剛顯示光阻用完時(shí),其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎?

答:有

少量光阻

當(dāng) TRACK 剛顯示光阻用完時(shí),其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎?

答:

少量光阻

WAFER SORTER 有讀 WAFER 刻號(hào)的功能嗎?

答:有

光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺? 它們的作用是什幺?

答:光刻部的主要機(jī)臺(tái)是: TRACK(涂膠顯影機(jī)), Sanner(掃描曝光機(jī)) 為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)

答:Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的照相機(jī). 光
罩上的電路圖形就是"人物". 通過對(duì)準(zhǔn),對(duì)焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈 現(xiàn)在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回 Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠 被洗掉, 圖形就顯現(xiàn)出來了.
光刻技術(shù)的英文是什幺 答:Photo Lithography
常聽說的.18 或點(diǎn) 13 技術(shù)是指什幺?
答:它是指某個(gè)產(chǎn)品,它的最小"CD" 的大小為 0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).
從點(diǎn) 18 工藝到點(diǎn) 13 工藝到點(diǎn)零 9. 難度在哪里? 答:難度在光刻部, 因?yàn)閳D形越來越小, 曝光機(jī)分辨率有限. 曝光機(jī)的 NA 是什幺?
答:NA 是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開的角度的正玹值. 最大是 1; 先
進(jìn)的曝光機(jī)的 NA 在 0.5 ---0.85 之間.
曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的?
答:分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda 是用于曝光的光波長;NA 是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔 徑; k1 是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù), 通常在 0.4--0.7 之間.
如何提高曝光機(jī)的分辨率呢?
答:減短曝光的光波長, 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高 NA. 現(xiàn)在的生產(chǎn)線上, 曝光機(jī)的光源有幾種, 波長多少?
答:有三種: 高壓汞燈光譜中的 365nm 譜線, 我們也稱其為 I-line; KrF 激光器, 產(chǎn)生
248 nm 的光; ArF 激光器, 產(chǎn)生 193 nm 的光;
下一代曝光機(jī)光源是什幺?
答:F2 激光器. 波長 157nm
我們可否一直把波長縮短,以提高分辨率? 困難在哪里?
答:不可以. 困難在透鏡材料. 能透過 157nm 的材料是 CaF2, 其晶體很難生長. 還未發(fā) 現(xiàn)能透過更短波長的材料.
為什幺光刻區(qū)采用黃光照明?
答:因?yàn)榘坠庵邪?365nm 成份會(huì)使光阻曝光,所以采用黃光; 就象洗像的暗房采用暗 紅光照明.
什幺是 SEM
答:掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道 CD SEM. 用它來 測量 CD
如何做 Overlay 測量呢?
答:芯片(Wafer)被送進(jìn) Overlay 機(jī)臺(tái)中. 先確定 Wafer 的位置從而找到 Overlay MARK.
這個(gè) MARK 是一個(gè)方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu).大方塊是前層, 小方塊是當(dāng)層;通過小方塊是否在 大方塊中心來確定 Overlay 的好壞.
生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺 答:曝光機(jī);5-15 百萬美金/臺(tái) 曝光機(jī)貴在哪里?
答:曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng) (它的成像系統(tǒng)由 15 到 20 個(gè)直徑在 200 300MM 的 透鏡組成.波面相位差只有最好象機(jī)的 5%. 它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺(tái))
激光工作臺(tái)的定位精度有多高? 答:現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺(tái)定位的重復(fù)精度小于 10nm
曝光機(jī)是如何保證 Overlay<50nm
答:曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對(duì)準(zhǔn)精度<50nm. 它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激光工作臺(tái), 它把 wafer 移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置. 再就是成像系統(tǒng),它帶來的圖像變形<35nm.
在 WAFER 上, 什幺叫一個(gè) Field?
答:光罩上圖形成象在 WAFER 上, 最大只有 26X33mm 一塊(這一塊就叫一個(gè) Field),激 光工作臺(tái)把 WAFER 移動(dòng)一個(gè) Field 的位置,再曝一次光,再移動(dòng)再曝光。直到覆蓋整片
WAFER。所以,一片 WAFER 上有約 100 左右 Field.
什幺叫一個(gè) Die?

答:一個(gè) Die 也叫一個(gè) Chip;它是一個(gè)功能完整的芯片。一個(gè) Field 可包含多個(gè) Die;

為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)”

答:曝光機(jī) 很貴;天的折舊有 3 萬-9 萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能,它

一天可產(chǎn)出 1600 片 WAFER。

Track 和 Scanner 內(nèi)主要使用什幺手段傳遞 Wafer:

答:機(jī)器人手臂(robot), Scanner 的 ROBOT 有真空(VACCUM)來吸住 WAFER. T

RACK 的 ROBOT 設(shè)計(jì)獨(dú)特, 用邊緣 HOLD WAFER.

可否用肉眼直接觀察測量 Scanner 曝光光源輸出的光

答:絕對(duì)禁止;強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害

 為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有 Scanner 應(yīng)用 Foundation(底座)

答:Scanner 曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求(減震)

近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段?

答:從 80’S 至今可分 4 階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的 G-line(438nm), I-line(365nm); excimer laser KrF(248nm),

ArF laser(193nm)

I-line scanner 的工作范圍是多少?

答:CD >0.35um 以上的圖層(LAYER)

KrF scanner 的工作范圍是多少?

答:CD >0.13um 以上的圖層(LAYER)

ArF scanner 的工作范圍是多少?

答:CD >0.08um 以上的圖層(LAYER)

什幺是 DUV SCANNER

答:DUV SCANNER 是 指所用光源為Deep Ultra Voliet, 超紫外線.即現(xiàn)用的 248nm,193nm

Scanner

Scanner 在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解:

答:Scanner 是一個(gè)集機(jī),光,電為一體的高精密機(jī)器;為控制 iverlay<40nm,在曝光過程中,光罩和 Wafer 的運(yùn)動(dòng)要保持很高的同步性.在 250nm/秒的掃描曝光時(shí),兩者同步位 置<10nm.相當(dāng)于兩架時(shí)速 1000 公里/小時(shí)的波音 747 飛機(jī)前后飛行,相距小于 10 微米

光罩的結(jié)構(gòu)如何?

答:光罩是一塊石英玻璃,它的一面鍍有一層鉻膜(不透光).在制造光罩時(shí),用電子

束或激光在鉻膜上寫上電路圖形(把部分鉻膜刻掉,透光).在距鉻膜 5mm 的地方覆蓋一 極薄的透明膜(叫 pellicle),保護(hù)鉻膜不受外界污染.
在超凈室(cleanroom)

為什幺不能攜帶普通紙

 答:普通紙張是由大量短纖維壓制而成,磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃(particle).進(jìn)

cleanroom 要帶專用的 Cleanroom Paper.
如何做 CD 測量呢?

答:芯片(Wafer)被送進(jìn) CD SEM 中. 電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光 阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同; 處理此信號(hào)可的圖像.對(duì)圖像進(jìn)行測量得 CD.

什幺是 DOF

答:DOF 也叫 Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似. 光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一 側(cè)的某個(gè)平面成像, 我們稱之為像平面 (Image Plan), 只有將像平面與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形. 當(dāng)離開一段距離后, 圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫 DOF
曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形(Pattern)的作用是什幺?

答:曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用:一是作刻蝕的模板,未蓋有光阻的地方與

刻蝕氣體反應(yīng),被吃掉.去除光阻后,就會(huì)有電路圖形留在芯片上.另一作用是充當(dāng)例子注 入的模板.

光阻種類有多少?

答:光阻種類有很多.可根據(jù)它所適用的曝光波長分為 I-line 光阻,KrF 光阻和 ArF 光阻

光阻層的厚度大約為多少?

答:光阻層的厚度與光阻種類有關(guān).I-line 光阻最厚,0.7um to 3um. KrF 光阻 0.4-0.9um. ArF 光阻 0.2-0.5um.

哪些因素影響光阻厚度?

答:光阻厚度與芯片(WAFER)的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān),越快越薄,與光阻粘稠度有關(guān).

哪些因素影響光阻厚度的均勻度?

答:光阻厚度均勻度與芯片(WAFER)的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān),越快越均勻,與旋轉(zhuǎn)加

減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān).

當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

答:大量清水沖洗眼睛,并查閱顯影液的CSDS(Chemical Safety Data Sheet),把它 提供給醫(yī)生,以協(xié)助治療

FAC
根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)?

答:分為一般排氣(General)、酸性排氣(Scrubbers)、堿性排氣(Ammonia)和有機(jī) 排氣(Solvent) 四個(gè)系統(tǒng)。

高架 地板分有孔和無孔作用?

答:使循環(huán)空氣能流通 ,不起塵,保證潔凈房內(nèi)的潔凈度; 防靜電;便于 HOOK-UP。

離子發(fā)射系統(tǒng)作用

答:離子發(fā)射系統(tǒng),防止靜電

SMIC 潔凈等級(jí)區(qū)域劃分
答:Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-LineOS1 L3 OS1 L4 testing

Class 1000

什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)

答:是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測試機(jī)臺(tái)在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光

阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于 80 kpa)和流量,每 天 24 小時(shí)運(yùn)行
什幺是 MAU(Make Up Air Unit),

新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用

答:提供潔凈室所需之新風(fēng),對(duì)新風(fēng)濕度,溫度,及潔凈度進(jìn)行控制,維持潔凈室正壓

和濕度要求。

House Vacuum System 作用

答:HV(House Vacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源, 其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔,打 開運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。

Filter Fan Unit System(FFU)作用

答:FFU 系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度,由 Fan 和 Filter(ULPA)組成。

什幺是 Clean Room 潔凈室系統(tǒng)

答:潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺(tái)設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等

環(huán)境要求。
Clean room spec:標(biāo)準(zhǔn)

答:Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo: 45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 內(nèi)的 safety shower 的日常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰來負(fù)責(zé)

答:Fab 內(nèi)的 Area Owner(若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請(qǐng)廠務(wù)水課(19105)協(xié)助)

工程師在正常跑貨用純水做 rinse 或做機(jī)臺(tái)維護(hù)時(shí),要注意不能有酸或有機(jī)溶劑(如 IPA

等)進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中,這是因?yàn)椋?/span>

答:酸會(huì)導(dǎo)致 conductivity(導(dǎo)電率)升高,有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致 TOC 升高。兩者均會(huì)影響并 降低純水回收率。
若在 Fab 內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等,

應(yīng)如何處理或通報(bào)

答:先檢查是否為機(jī)臺(tái)漏水或做 PM 所致,若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室(12222) 機(jī)臺(tái)若因做 PM 或其它異常,而要大量排放廢溶劑或廢酸等

應(yīng)首先如何通報(bào)

答:通知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班(19105)

 廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?

答:酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管

(SUS)
若機(jī)臺(tái)內(nèi)的

drain 管有接錯(cuò)或排放成分分類有誤,將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題?

答:將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格,從而可能導(dǎo)致公司排放口超標(biāo)排

放的事故。

公司做水回收的意義如何?

答:(1) 節(jié)約用水,降低成本。重在環(huán)保。(2) 符合 ISO 可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境 保護(hù)暨安全衛(wèi)生政策。

何種氣體歸類為特氣(Specialty Gas)?

 答:SiH2Cl2

何種氣體由 VMB Stick 點(diǎn)供到機(jī)臺(tái)?

答:H2

何種氣體有自燃性?

答:SiH4

何種氣體具有腐蝕性?

答:ClF3

當(dāng)機(jī)臺(tái)用到何種氣體時(shí),須安裝氣體偵測器?

答:PH3

名詞解釋 GC, VMB, VMP

答:GC- Gas Cabinet 氣瓶柜 VMB- Valve Manifold Box 閥箱,適用于危險(xiǎn)性氣體。VMP-Valve Manifold Panel 閥件盤面,適用于惰性氣體。

標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少?工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時(shí)人體會(huì)感覺不適?答:21%19%

什幺是氣體的 LEL? H2 的 LEL 為多少?

答:LEL- Low Explosive Level 氣體爆炸下限 H2 LEL- 4%.

當(dāng) FAB 內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級(jí)警報(bào)(既 Leak HiHi),氣體警報(bào)燈(LAU)會(huì)如何動(dòng)作?FAB 內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變?
答:LAU 紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從 ERC 廣播命令,立刻疏散?;瘜W(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為何?
答:(1) Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2) Solvent 有機(jī)溶劑(3) Slurry 研磨液 有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為何?
答:(1) Gas/Temp. detector;氣體/溫度偵測器(2) CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器 中芯有那幾類研磨液(slurry)系統(tǒng)?
答:(1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭

設(shè)備機(jī)臺(tái)總電源是幾伏特?

答:208V OR 380V

欲從事生產(chǎn)/測試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎? 答:不可以 如何選用電器器材?

答:使用電器器材需采用通過認(rèn)證之正規(guī)品牌 機(jī)臺(tái)開關(guān)可以任意分/合嗎? 答:未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機(jī)臺(tái)開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.

欲從事生產(chǎn)/測試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對(duì)嗎? 答:對(duì)

假設(shè)斷路器啟斷容量為 16 安培導(dǎo)線線徑 2.5mm2,電源供應(yīng)電壓單相 220 伏特,若使用單 相 5000W 電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生何種情況?

答:斷路器跳閘 當(dāng)供電局供電中斷時(shí),人員仍可安心待在 FAB 中嗎?

答:當(dāng)供電局供電中斷時(shí),本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持

FAB 之 Safety,所以人員仍可安心待在 FAB 中.